작성일
2025.11.04
수정일
2025.11.04
작성자
김민우
조회수
62

이재광 교수 연구팀, 양자점 양자효율 메커니즘 규명

물리학과 이재광 교수 연구팀삼성디스플레이와의 협력연구를 통해 양자점 양자효율 감소 비밀을 규명하였다.

 

최근 양자점 디스플레이가 각광 받고 있다.

단일 물질이 아닌 코어-쉘 구조 양자점이 이용되고 있다.

코어-쉘 구조 양자점은 다른 디스플레이 구조에 비해, 빛의 밝기와 양자효율이 매우 뛰어나기 때문이다.

 

하지만 특정 시간이 경과하면, 코어-쉘 구조 양자점의 양자효율이 급격하게 줄어드는 현상이 큰 문제점으로 알려져왔다.

양자효율 감소에 대한 다양한 가설들이 보고되었지만, 이론과 실험이 협력하여 원자수준에서 메커니즘을 규명한 연구는 거의 없었다.

 

연구팀은 electron spin resonance (ESR) 계산과 실험을 통해 코어-쉘 구조 양자점 표면의 sulfur vacancy가 양자효율 감소의 핵심적인 인자임을 규명하였다. 특히 ESR g-factor 및 전자구조 계산과 in-situ ESR 실험을 통해 표면에 sulfur vacancy가 생성되면 이를 기점으로 다양한 결함들이 양자점 안쪽으로 도미노처럼 쉽게 형성됨을 규명하였다. 특히 이를 통해 코어-쉘 구조의 전자구조가 양자점에 최적인 Type-I에서 Type-II로 변형되어 급격하게 양자효율이 감소됨을 규명하였다 [그림].

 

이재광 교수는 이번 연구는 코어-쉘 양자점 양자효율 감소에 대한 메커니즘을 원자수준에서 밝혀낸 연구성과로, 향후 코어-쉘 양자점 양자효율 최적화에 핵심자료가 될 것으로 기대된다고 말했다.

 

이번 논문은 부산대 물리학과 진영록 석박통합 대학원생이 제1저자, 이재광 교수와 삼성디스플레이 연구팀이 공동교신저자로 수행해, Defect-Cascades-Induced Photodegradation in InP/ZnSe/ZnS Quantum Dots이라는 제목으로 2025년 기준 JCR 7.17% IF 14.1인 국제학술지 Advanced Science 113일에 게재됐다.


논문: https://doi.org/10.1002/advs.202515691

해당 연구는 과학기술정보통신부의 재원으로 한국연구재단의 나노및소재기술개발 사업과 삼성디스플레이의 지원을 받았.


왼쪽부터 진영록 대학원생, 이재광 교수



표면 sulfur vacancy 유무에 따른 결함 생성 메커니즘 규명


결함 생성 도미노 현상으로 Type-II로의 변화



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